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AS4LC1M16E5-60JC	文件：604.06 Kbytes Page：22 Pages	3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) [AllianceSemiconductor] Functionaldescription TheAS4LC1M16E5isahighperformance16-megabitCMOSDynamicRandomAccessMemory(DRAM)organizedas1,048,576words×16bits.ThedeviceisfabricatedusingadvancedCMOStechnologyandinnovativedesigntechniquesresultinginhighspe	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
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详细参数

型号：
AS4LC1M16E5-60JC
功能描述：
3V 1M X 6 CMOS DRAM(EDO)

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