AS4C64M32MD1-5BINTR_集成电路（IC）存储器-ALLIANCEMEMORY

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1000+	¥108.05190

厂家型号：
AS4C64M32MD1-5BINTR
制造商：
ALLIANCEMEMORY/Alliance Memory, Inc.
库存数量：
0
类别：
集成电路（IC）存储器
封装外壳：
90-VFBGA
包装：
卷带（TR）
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-4-30 8:27:00

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原厂料号：AS4C64M32MD1-5BINTR品牌：Alliance Memory, Inc.

资料说明：IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA

AS4C64M32MD1-5BINTR是集成电路（IC） > 存储器。制造商ALLIANCEMEMORY/Alliance Memory, Inc.生产封装90-VFBGA的AS4C64M32MD1-5BINTR存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

芯片型号：
as4c64m32md1-5bintr
规格书：
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企业简称：
ALLIANCEMEMORY详情
厂商全称：
Alliance Memory, Inc.
资料说明：
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA

产品属性

类型
描述
产品编号：
AS4C64M32MD1-5BINTR
制造商：
Alliance Memory, Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM - 移动 LPDDR
存储容量：
2Gb（64M x 32）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.9V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
90-VFBGA
供应商器件封装：
90-FBGA（8x13）
描述：
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA

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AS4C64M32MD1-5BINTR

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