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AS4C512M8D3A-12BIN中文资料The 4 Gb DDR3 AS4C512M8D3A DRAMs is a double data rate architecture to achieve high-speed operation.数据手册AllianceMemory规格书

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厂商型号

AS4C512M8D3A-12BIN

参数属性

AS4C512M8D3A-12BIN 封装/外壳为78-VFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA

功能描述

The 4 Gb DDR3 AS4C512M8D3A DRAMs is a double data rate architecture to achieve high-speed operation.

封装外壳

78-VFBGA

制造商

AllianceMemory Alliance Memory, Inc

中文名称

联盟记忆

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-12-19 17:02:00

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技术参数

  • 产品编号:

    AS4C512M8D3A-12BIN

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR3

  • 存储容量:

    4Gb(512M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    1.425V ~ 1.575V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 95°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    78-VFBGA

  • 供应商器件封装:

    78-FBGA(9x10.5)

  • 描述:

    IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AllianceMemory
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