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B3711	文件：69.89 Kbytes Page：6 Pages	SAWComponentsLow-LossFilter315,00MHz	EPCOSepcos 爱普科斯	EPCOS
F3711S	文件：251.6 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES TrenchFET®•PowerMOSFET •100%RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
HAL3711	文件：453.73 Kbytes Page：46 Pages	RobustProgrammable2DPositionSensorFamilywithArbitraryOutputFunction	TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司	TDK
HAL3711DJ-A	文件：453.73 Kbytes Page：46 Pages	RobustProgrammable2DPositionSensorFamilywithArbitraryOutputFunction	TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司	TDK
IIRF3711	文件：338.3 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor DESCRITION •reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤6.0mΩ •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRFR3711	文件：335.63 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •HighFrequencyBuckConvertersForServerProcessorPowerSynchronousFET •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤6.5mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRFR3711Z	文件：336.41 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •HighFrequencySynchronousBuckConvertersForComputerProcessorPower •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤5.7mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3711	文件：245.69 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=20V,Rds(on)max=6.0mohm,Id=110A?? SMPSMOSFET Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification forTelecomandIndustrialUse ●HighFrequencyBuckConv	IRF International Rectifier	IRF
IRF3711	文件：338.3 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor DESCRITION •reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤6.0mΩ •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3711L	文件：245.69 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=20V,Rds(on)max=6.0mohm,Id=110A?? SMPSMOSFET Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification forTelecomandIndustrialUse ●HighFrequencyBuckConv	IRF International Rectifier	IRF

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