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ARE6-8E31-0FH00中文资料High Power Infrared Emitting Diodes数据手册Broadcom规格书

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厂商型号

ARE6-8E31-0FH00

参数属性

ARE6-8E31-0FH00 封装/外壳为3-SMD,无引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为光电器件的LED发射器-红外紫外可见光;产品描述:HIGH POWER IRLED, 855NM, 140DEG

功能描述

High Power Infrared Emitting Diodes
HIGH POWER IRLED, 855NM, 140DEG

封装外壳

3-SMD,无引线

制造商

Broadcom Broadcom Corporation.

中文名称

博通 博通半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 20:00:00

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ARE6-8E31-0FH00规格书详情

描述 Description

The Broadcom® high-power IR LEDs are available in 855-nm and 945-nm peak wavelength ranges, appropriate for specific devices, such as infrared illumination, surveillance systems, CCTV, and gesture recognition.

Packaged in a 3.45 mm × 3.45 mm surface-mount platform, together with viewing angles of 80° and 140° lens optics options, the high-power IR LEDs are suitable for a wide variety of applications.

The package is compatible with the reflow soldering process. To facilitate easy pick-and-place assembly, the LEDs are packed in tape and reel.

特性 Features

•Availableinpeakwavelengths855nmand945nm 
•Highradiantintensity
•Highradiantpower
•Lowforwardvoltage
•Typicalviewingangle:80°and140°
•Compatiblewithindustrialreflowsolderingprocess
•MSL1

简介

ARE6-8E31-0FH00属于光电器件的LED发射器-红外紫外可见光。由制造生产的ARE6-8E31-0FH00LED 发射器 - 红外,紫外,可见光红外、紫外和可见光发射器是半导体器件,可产生红外、可见光和紫外频率范围(255 ~ 1720 纳米)的光。这些器件常用于遥控器、光学无线链路或替代照明光源等设备,可产生普通光源无法提供的强辐射源。这些产品提供各种电气规格、外壳尺寸和视角,应用广泛。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    ARE6-8E31-0FH00

  • 制造商:

    Broadcom Limited

  • 类别:

    光电器件 > LED 发射器 - 红外,紫外,可见光

  • 系列:

    ARE6-xxx1-0xx00

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    红外(IR)

  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值):

    1.5A

  • 不同 If 时最小辐射强度 (Ie):

    320mW/sr @ 1A

  • 波长:

    855nm

  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值):

    3.05V

  • 视角:

    140°

  • 方向:

    顶视图

  • 工作温度:

    -40°C ~ 120°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-SMD,无引线

  • 描述:

    HIGH POWER IRLED, 855NM, 140DEG

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