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AQV410EH中文资料PhotoMOS GE 1b (6脚型)数据手册Panasonic规格书

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厂商型号

AQV410EH

参数属性

AQV410EH 封装/外壳为6-DIP(0.300",7.62mm);包装为管件;类别为继电器的固态继电器;产品描述:SSR RELAY DPST-NC 130MA 0-350V

功能描述

PhotoMOS GE 1b (6脚型)

封装外壳

6-DIP(0.300",7.62mm)

制造商

Panasonic Panasonic Semiconductor

中文名称

松下 松下电器

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :AQV410EH

  • 生产厂家

    :Panasonic

  • 类型

    :GE

  • 封装

    :DIP6

  • 电压类型

    :AC/DC

  • 输出构成

    :1b

  • 端子形状

    :标准P/C板端子

  • 包装方式

    :管装包装

  • 包装数量内箱 (管装包装) (个)

    :50

  • 包装数量外箱 (个)

    :500

  • LED电流 [ IF ]

    :50mA

  • LED反向电压 [ VR ]

    :5V

  • 最大正向电流 [ IFP ]

    :1A

  • 部允许损耗 [ Pin ]

    :75mW

  • 负载电压 [ VL ]

    :350V

  • 连续负载电流 [ IL ]

    :0.13A

  • 峰值负载电流 [ Ipeak ]

    :0.4A

  • 输出损耗 [ Pout ]

    :500mW

  • 全部允许损耗 [ Pt ]

    :550mW

  • 耐电压 [ Viso ]

    :5

  • 使用环境温度: 动作温度 [ Topr ]

    :-40°C~+85°C

  • 使用环境温度: 保存温度 [ Tstg ]

    :-40°C~+100°C

  • 接合部温度 [ Tj ]

    :125°C

  • 动作LED电流(平均)

    :1.9mA

  • 动作LED电流(最大)

    :3mA

  • 复位LED电流(最小)

    :0.4mA

  • 复位LED电流(平均)

    :1.8mA

  • LED压降(平均) [ VF ]

    :1.25V

  • LED压降(最大) [ VF ]

    :1.5V

  • 导通电阻(平均) [ Ron ]

    :18 ohm

  • 导通电阻(最大) [ Ron ]

    :35 ohm

  • 开路状态漏电流(最大) [ ILeak ]

    :10μA

  • 过电流保护功能

    :无功能

  • 动作时间(平均)

    :1.5ms

  • 动作时间(最大)

    :3ms

  • 复位时间(平均)

    :0.3ms

  • 复位时间(最大)

    :1.5ms

  • 输入/输出间端子容量(平均) [ Ciso ]

    :0.8pF

  • 输入/输出间端子容量(最大) [ Ciso ]

    :1.5pF

  • 输入/输出绝缘电阻(最小) [ Riso ]

    :1

  • [推荐动作条件] LED电流 [ IF ]

    :最小:5mA 最大:30mA

  • [推荐动作条件] 负载电压 [ VL ]

    :最大:280V

  • [推荐动作条件] 连续负载电流 [ IL ]

    :最大:0.13A

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