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HEDS-9141	文件：501.43 Kbytes Page：13 Pages	ThreeChannelOpticalIncrementalEncoderModules	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
IRF9141	文件：290.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9141	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF9141	文件：309.19 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9141	文件：270.41 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP9141	文件：381.33 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliablility	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFP9141	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFP9141	文件：273.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP9141	文件：314.32 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
APX9141ATEE-PB
制造商：
ANPEC
制造商全称：
Anpec Electronics Coropration
功能描述：
Hall Effect Sensor IC with Reverse Voltage Protection

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	APX9141ATEE-PB	ANPEC	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	APX9141ATEE-PBL	ANPEC	13+		10718	原装分销	询价
深圳市创新迹电子有限公司	APX9141ATEE-PBL	ANPEC	23+	DIP-4	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	APX9141ATEE-PBL	ANPEC	23+	DIP-4	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市佳杰伟业科技有限公司	APX9141ATEE-PBL	ANPEC	2406+	DIP	16606	优势代理渠道原装现货可全系列订货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	APX9141BBE	ANPEC/茂达电子	23+	DIP-4	8700	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
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更多APX9141ATEE-PB供应商更新时间2025-7-25 16:09:00

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