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IRF9132	文件：270.42 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFF9132	文件：687.87 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedP-ChannelPowerMOSFETs -5.5Aand-6.5A,-60Vand-100VrDS(on)=0.30Ωand0.40Ω TheIRFF9130,IRFF9131,IRFF9132andIRFF9133areadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.Thesearep-channelenhancement-modesilicon-gat	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP9132	文件：271.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP9132	文件：378.27 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFP9132	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFP9132	文件：313.94 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS9132	文件：266 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS9132	文件：344.64 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-6.9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
K9132YEL	文件：3.28167 Mbytes Page：16 Pages	ingressprotected	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
LAN9132	文件：391.71 Kbytes Page：2 Pages	High-PerformanceNetworkMultimediaProcessingEngine,supportingaPCIbasedinterfaceandfeaturingRipStreamTechnology Industry’sfirsthigh-performance,wired10/100networkmultimediaprocessingenginesolelysupportingaPCI-basedinterfaceandemployingRipStreamtechnology,whichcombinessupportformultiplehigh-definition(HD)streams,softwareprotocolstackmanagementandsecurity. ■RipStreamtechnolog	SMSC Standard Microsystems Corporation	SMSC

详细参数

型号：
APX9132ATI-TRG
制造商：
ANPEC
制造商全称：
Anpec Electronics Coropration
功能描述：
Hall Effect Micro Switch IC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多APX9132ATI-TRG供应商更新时间2025-7-29 10:20:00

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