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APTGT75DH120T3G中文资料PDF规格书

APTGT75DH120T3G
厂商型号

APTGT75DH120T3G

参数属性

APTGT75DH120T3G 封装/外壳为SP3;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块;产品描述:IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP3

功能描述

Asymmetrical - Bridge Fast Trench Field Stop IGBT Power Module

文件大小

206.01 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

Microsemi美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-1 18:04:00

产品属性

  • 产品编号:

    APTGT75DH120T3G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    散装

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 配置:

    非对称桥

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,75A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    SP3

  • 供应商器件封装:

    SP3

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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