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APTGT50H60T3G中文资料600V/Full bridge/IGBT modules数据手册Microchip规格书
| 厂商型号 |
APTGT50H60T3G |
| 参数属性 | APTGT50H60T3G 封装/外壳为SP3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3 |
| 功能描述 | 600V/Full bridge/IGBT modules |
| 封装外壳 | SP3 |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 美国微芯科技公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 19:07:00 |
| 人工找货 | APTGT50H60T3G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
APTGT50H60T3G规格书详情
特性 Features
• Configuration: Full bridge
• VCES (V): 600
• VCESat (V): 1.5
• Current (A) Tc=80C: 50
• Silicon type: TRENCH 3 IGBT
• Package: SP3F
简介
APTGT50H60T3G属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的APTGT50H60T3G晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 制造商编号
：APTGT50H60T3G
- 生产厂家
：Microchip
- Product Type
：IGBT
- VCES (V)
：600
- VCEsat (V)
：1.5
- Current (A) Tc=80 C
：50
- Silicon Type
：TRENCH 3 IGBT
- PKG
：SP3F
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microch |
20+ |
NA |
33560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
Microchip Technology |
24+ |
Module |
1262 |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
询价 | ||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
23+ |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | |||
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
询价 | ||||
APT |
25+ |
50A/1200V/IG |
50 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
询价 | ||
APT |
50A/1200V/IG |
149 |
模块现货库存 |
询价 | |||
Microsemi Corporation |
22+ |
SP3 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Microsemi |
24+ |
N/A |
5600 |
正常排单原厂正规渠道保证原装正品 |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
23+ |
SP3 |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 |
