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APTGT50DA170T1G分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
APTGT50DA170T1G |
| 参数属性 | APTGT50DA170T1G 封装/外壳为SP1；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MODULE 1700V 75A 312W SP1 |
| 功能描述 | Boost chopper Trench Field Stop IGBT짰 Power Module |
| 封装外壳 | SP1 |
| 文件大小 |
280.97 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | MICROSEMI |
| 中文名称 | 美高森美 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-28 14:14:00 |
| 人工找货 | APTGT50DA170T1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
APTGT50DA170T1G规格书详情
APTGT50DA170T1G属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由美高森美半导体公司制造生产的APTGT50DA170T1G晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
产品属性
更多- 产品编号：
APTGT50DA170T1G
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装：
散装
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 配置：
单路
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，50A
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
是
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
SP1
- 供应商器件封装：
SP1
- 描述：
IGBT MODULE 1700V 75A 312W SP1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microch |
20+ |
NA |
33560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
MICROSEMI |
14+ |
SP3 |
26 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
21+ |
IGBTMODULE |
120000 |
长期代理优势供应 |
询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
24+ |
IGBTMODULE |
60000 |
询价 | |||
Microsemi Corporation |
23+ |
标准封装 |
2000 |
全新原装正品现货直销 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
82000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
MICROCHIP |
23+ |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | |||
MICROSEMI/美高森美 |
23+ |
IGBTMODULE |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
22+ |
SP1 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
908 |
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询价 |
