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APTGT50A170D1G数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

APTGT50A170D1G

参数属性

APTGT50A170D1G 封装/外壳为D1;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 1700V 70A 310W D1

功能描述

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

封装外壳

D1

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 8:58:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :APTGT50A170D1G

  • 生产厂家

    :Microchip

  • 配置

    :半桥

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    :1700V

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)

    :70A

  • 功率 - 最大值

    :310W

  • 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

    :2.4V @ 15V,50A

  • 电流 - 集电极截止(最大值)

    :6mA

  • 不同 Vce 时的输入电容(Cies)

    :4.4nF @ 25V

  • 输入

    :标准

  • NTC 热敏电阻

    :无

  • 工作温度

    :-

  • 安装类型

    :底座安装

  • 封装/外壳

    :D1

  • 供应商器件封装

    :D1

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