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APTGT150DA120D1G分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

厂商型号 |
APTGT150DA120D1G |
参数属性 | APTGT150DA120D1G 封装/外壳为D1;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 1200V 220A 700W D1 |
功能描述 | Boost chopper Trench Field Stop IGBT Power Module |
封装外壳 | D1 |
文件大小 |
185.67 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | Microsemi |
中文名称 | 美高森美 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-4 11:10:00 |
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APTGT150DA120D1G规格书详情
APTGT150DA120D1G属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由美高森美半导体公司制造生产的APTGT150DA120D1G晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
产品属性
更多- 产品编号:
APTGT150DA120D1G
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装:
散装
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 配置:
单路
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,150A
- 输入:
标准
- NTC 热敏电阻:
无
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
D1
- 供应商器件封装:
D1
- 描述:
IGBT MODULE 1200V 220A 700W D1
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
23+ |
MODULE |
5000 |
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询价 | ||
APT |
23+ |
MODULE |
7300 |
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询价 | ||
Microsemi Corporation |
22+ |
D1 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
APT |
150A/1200V/I |
128 |
模块现货库存 |
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Microsemi |
1942+ |
N/A |
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Microchip |
18 |
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APT |
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APT |
24+ |
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Microsemi Corporation |
23+ |
D1 |
9000 |
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