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APTGT100H170G数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

APTGT100H170G

参数属性

APTGT100H170G 封装/外壳为SP6;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 1700V 150A 560W SP6

功能描述

1700V/Full bridge/IGBT modules
IGBT MODULE 1700V 150A 560W SP6

封装外壳

SP6

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 11:06:00

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APTGT100H170G规格书详情

特性 Features

• Configuration: Full bridge
• VCES (V): 1700
• VCESat (V): 2
• Current (A) Tc=80C: 100
• Silicon type: TRENCH 3 IGBT
• Package: SP6C

简介

APTGT100H170G属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的APTGT100H170G晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :APTGT100H170G

  • 生产厂家

    :Microchip

  • Product Type

    :IGBT

  • VCES (V)

    :1700

  • VCEsat (V)

    :2

  • Current (A) Tc=80 C

    :100

  • Silicon Type

    :TRENCH 3 IGBT

  • PKG

    :SP6C

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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