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APTCV60TLM70T3G数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

APTCV60TLM70T3G

参数属性

APTCV60TLM70T3G 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3

功能描述

600V/Three level inverter/Si Mosfet modules
IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3

封装外壳

模块

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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APTCV60TLM70T3G规格书详情

描述 Description

Super junction MOSFETUltra low RDSonLow Miller capacitanceUltra low gate chargeAvalanche energy ratedIGBT3 Low voltage dropLow tail currentSwitching frequency up to 20 kHzLow leakage currentKelvin source for easy driveLow stray inductanceInternal thermistor for temperature monitoring (optional)Outstanding performance at high frequency operationDirect mounting to heatsink (isolated package)Low junction to case thermal resistanceRoHS Compliant

特性 Features

• Configuration: Three level inverter
• VDSS (V): 600
• RDSon (mR) typ: 83
• Current (A) Tc=80C: 70
• Silicon type: Super Junction Mosfet/TRENCH
• Package: SP3F

简介

APTCV60TLM70T3G属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的APTCV60TLM70T3G晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :APTCV60TLM70T3G

  • 生产厂家

    :Microchip

  • Status

    :In Production

  • Product Type

    :Si Mosfet

  • VDSS (V)

    :600

  • Current (A) Tc=80 C

    :70

  • RDSon (mR) typ

    :83

  • Silicon Type

    :Super Junction Mosfet/TRENCH

  • PKG

    :SP3F

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