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APT85GR120B2分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
APT85GR120B2 |
| 参数属性 | APT85GR120B2 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 170A 962W TO247 |
| 功能描述 | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
2.83333 Mbytes |
| 页面数量 |
44 页 |
| 生产厂商 | MICROSEMI |
| 中文名称 | 美高森美 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-9 19:57:00 |
| 人工找货 | APT85GR120B2价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
APT85GR120B2规格书详情
POWER MOS 7® MOSFET
Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses along with exceptionally fast switching speeds inherent with APTs patented metal gate structure.
• Lower Input Capacitance
• Increased Power Dissipation
• Lower Miller Capacitance
• Easier To Drive
• Lower Gate Charge, Qg
• TO-247 or Surface Mount D3PAK Package
产品属性
- 产品编号:
APT85GR120B2
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3.2V @ 15V,85A
- 开关能量:
6mJ(开),3.8mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
43ns/300ns
- 测试条件:
600V,85A,4.3 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
T-MAX™
- 描述:
IGBT 1200V 170A 962W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microch |
20+ |
NA |
33560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
MICROSEMI |
15+ |
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MICROSEMI/美高森美 |
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Microsemi |
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Microsemi/美高森美 |
23+ |
TO-247 |
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询价 | ||
Microsemi Corporation |
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MICROSEMI |
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原装正品 |
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MICROSEMI |
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Microchip Technology |
23+ |
标准封装 |
2000 |
全新原装正品现货直销 |
询价 |

