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APT80GP60B2G中文资料IGBT w/o anti-parallel diode数据手册Microchip规格书

厂商型号 |
APT80GP60B2G |
参数属性 | APT80GP60B2G 封装/外壳为TO-247-3 变式;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 100A 1041W TMAX |
功能描述 | IGBT w/o anti-parallel diode |
封装外壳 | TO-247-3 变式 |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名称 | 微芯科技 美国微芯科技公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 14:35:00 |
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APT80GP60B2G规格书详情
描述 Description
ROHS
简介
APT80GP60B2G属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的APT80GP60B2G晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
APT80GP60B2G
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
POWER MOS 7®
- 包装:
托盘
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,80A
- 输入类型:
标准
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3 变式
- 供应商器件封装:
T-MAX™ [B2]
- 描述:
IGBT 600V 100A 1041W TMAX
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
2023+ |
MODULE |
115 |
主打螺丝模块系列 |
询价 | ||
APT |
24+ |
8866 |
询价 | ||||
Microch |
20+ |
NA |
33560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
APT |
22+ |
T-MAXB2 |
8200 |
原装现货库存.价格优势!! |
询价 | ||
APT |
04+ |
MODULE |
12 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
APTMICROSEMI |
22+ |
T-MAXB2 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
Microsemi |
24+ |
N/A |
5600 |
正常排单原厂正规渠道保证原装正品 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
TO-252 |
69820 |
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询价 | ||
Microchip Technology |
24+ |
Module |
1262 |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
询价 | ||
Microchip Technology |
23+ |
标准封装 |
2000 |
全新原装正品现货直销 |
询价 |