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APT80GA90B分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
APT80GA90B |
| 参数属性 | APT80GA90B 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 900V 145A 625W TO247 |
| 功能描述 | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
2.83333 Mbytes |
| 页面数量 |
44 页 |
| 生产厂商 | Microsemi |
| 中文名称 | 美高森美 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-15 10:31:00 |
| 人工找货 | APT80GA90B价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
APT80GA90B规格书详情
POWER MOS 7® MOSFET
Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses along with exceptionally fast switching speeds inherent with APTs patented metal gate structure.
• Lower Input Capacitance
• Increased Power Dissipation
• Lower Miller Capacitance
• Easier To Drive
• Lower Gate Charge, Qg
• TO-247 or Surface Mount D3PAK Package
产品属性
- 产品编号：
APT80GA90B
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.1V @ 15V，47A
- 开关能量：
1652µJ（开），1389µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
18ns/149ns
- 测试条件：
600V，47A，4.7 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247 [B]
- 描述：
IGBT 900V 145A 625W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi Corporation |
22+ |
TO247 [B] |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
24+ |
TO-264 |
56800 |
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Microsemi |
1942+ |
N/A |
167 |
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APT |
22+ |
T-MAXB2 |
8200 |
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24+ |
N/A |
46000 |
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APT |
25+ |
TO-247 |
46 |
原装正品,欢迎来电咨询! |
询价 | ||
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
询价 | ||||
Microch |
20+ |
NA |
33560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
2022+ |
TO-247 [B] |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
APT |
24+ |
8866 |
询价 |
