| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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1年
留言
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Microchip/微芯标准封装 |
3088 |
26+ |
授权代理经销商 IGBT模块 可控硅 晶闸管 现货库存 |
![]() |
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5年
留言
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APTMICROSEMITO-264L |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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15年
留言
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APT原厂原封 |
8200 |
22+ |
原装现货库存.价格优势!! |
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6年
留言
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APTMODULE |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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1年
留言
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APTMODULE |
434 |
26+ |
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6年
留言
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APTTO264 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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6年
留言
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APTTO264 |
13818 |
23+ |
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2年
留言
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MICROSEMI/美高森美TO-264 |
15000 |
25+ |
本公司 只做全新原装正品 |
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13年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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21年
留言
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APT模块 |
300 |
25+ |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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3年
留言
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APTTO-264 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保证 |
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5年
留言
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Microsemi CorporationTO2643 TO264AA |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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MICROSEMI/美高森美 |
12889 |
23+ |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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1年
留言
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Microchip/微芯标准封装 |
3088 |
26+ |
授权代理经销商 IGBT模块 可控硅 晶闸管 现货库存 |
![]() |
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12年
留言
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APT/晶科电子MODULE |
163 |
25+ |
主打螺丝模块系列 |
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15年
留言
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APT原厂原封 |
8200 |
22+ |
原装现货库存.价格优势!! |
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7年
留言
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MICROSEMIISOTOP |
326 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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10年
留言
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Microsemi标准封装 |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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9年
留言
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MICROSEMI/美高森美SOT-23-6 |
3200 |
20+ |
全新、原装 |
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10年
留言
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APTTO-264 |
12800 |
23+ |
公司只有原装 欢迎来电咨询。 |
APT8020采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
APT8020图片
APT8020LFLLG价格
APT8020LFLLG价格:¥140.6490品牌:Microsemi
生产厂家品牌为Microsemi的APT8020LFLLG多少钱,想知道APT8020LFLLG价格是多少?参考价:¥140.6490。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,APT8020LFLLG批发价格及采购报价,APT8020LFLLG销售排行榜及行情走势,APT8020LFLLG报价。
APT8020LLLG中文资料Alldatasheet PDF
更多APT8020B2FLL制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
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APT8020B2LL制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3-Pin(3+Tab) T-MAX 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 800V 38A 3-PIN(3+TAB) T-MAX - Bulk
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APT8020JFLL功能描述:MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:*
APT8020JLL功能描述:MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:*
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APT8020LFLLG功能描述:MOSFET N-CH 800V 38A TO-264 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 7® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件























