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APT75GN120B2G中文资料IGBT w/o anti-parallel diode数据手册Microchip规格书

厂商型号 |
APT75GN120B2G |
参数属性 | APT75GN120B2G 封装/外壳为TO-247-3 变式;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 200A 833W TMAX |
功能描述 | IGBT w/o anti-parallel diode |
封装外壳 | TO-247-3 变式 |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名称 | 微芯科技 美国微芯科技公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 10:06:00 |
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APT75GN120B2G规格书详情
简介
APT75GN120B2G属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的APT75GN120B2G晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
APT75GN120B2G
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
托盘
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,75A
- 开关能量:
8045µJ(开),7640µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
60ns/620ns
- 测试条件:
800V,75A,1 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3 变式
- 描述:
IGBT 1200V 200A 833W TMAX
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
51000 |
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询价 | |||
Microchip Technology |
25+ |
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23+ |
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Microsemi Corporation |
23+ |
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2000 |
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询价 |