| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
5年
留言
|
APTTO-247 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
|||
|
ATPTO-264 |
33313 |
23+ |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
||||
|
18年
留言
|
ATPTO-247 |
1000 |
05+ |
原装进口 |
|||
|
6年
留言
|
APTTO-247 |
8400 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
|
13年
留言
|
 |
APTTO-247 |
1200 |
23+ |
|||
|
7年
留言
|
Microchip Technology / AtmelTO-247-3 |
6843 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
|||
|
8年
留言
|
Microchip Technology / AtmelTO-247-3 |
6895 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
|
16年
留言
|
MICROCHIP/微芯 |
24089 |
26+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
|
6年
留言
|
APTTO-247 |
880000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
|
14年
留言
|
APTTO-247 |
8000 |
22+ |
|
原装正品支持实单 |
||
|
17年
留言
|
APT |
8866 |
24+ |
||||
|
7年
留言
|
MICROCHIP-微芯TO-263-3 |
2368 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
7年
留言
|
APTD3S |
78800 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
7年
留言
|
APTTO-247-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
15年
留言
|
APT原厂原封 |
8200 |
22+ |
原装现货库存.价格优势!! |
|||
|
3年
留言
|
MSCNA |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
|||
|
5年
留言
|
APTTO-3P |
100500 |
2447 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
|
16年
留言
|
MicrochNA |
33560 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
|
1年
留言
|
APTTO-247 |
5800 |
2021+ |
原装现货,欢迎来电咨询 |
|||
|
5年
留言
|
APTMICROSEMITO-247B |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
APT6025采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
APT6025图片
APT6025BVRG中文资料Alldatasheet PDF
更多APT6025BFLL制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
APT6025BFLL_04制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
APT6025BFLLG功能描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 7® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
APT6025BLL制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
APT6025BLL_04制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
APT6025BLLG功能描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 7® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
APT6025BVFR制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT6025BVFR_05制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT6025BVFRG功能描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
APT6025BVR制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
