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APT6010LLLG中文资料PDF规格书
APT6010LLLG规格书详情
Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses along with exceptionally fast switching speeds inherent with Microsemis patented metal gate structure.
• Lower Input Capacitance
• Lower Miller Capacitance
• Lower Gate Charge, Qg
• Increased Power Dissipation
• Easier To Drive
• Popular T-MAX™ or TO-264 Package
产品属性
- 型号:
APT6010LLLG
- 功能描述:
MOSFET N-CH 600V 54A TO-264
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
POWER MOS 7®
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
17+ |
TO-247 |
290 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
MICROCHIP(美国微芯) |
23+ |
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6000 |
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APT |
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TO-247 |
290 |
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APT |
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TO-3P |
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MICROCHIP(美国微芯) |
23+ |
TO-264 |
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询价 | ||
MICROCHIP/微芯 |
24+ |
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18000 |
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TO-3PL |
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APT |
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TO-3PL |
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08+(pbfree) |
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