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APT6010LLLG中文资料PDF规格书

APT6010LLLG
厂商型号

APT6010LLLG

功能描述

Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.

文件大小

257.55 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

Microsemi美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-29 20:20:00

APT6010LLLG规格书详情

Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses along with exceptionally fast switching speeds inherent with Microsemis patented metal gate structure.

• Lower Input Capacitance

• Lower Miller Capacitance

• Lower Gate Charge, Qg

• Increased Power Dissipation

• Easier To Drive

• Popular T-MAX™ or TO-264 Package

产品属性

  • 型号:

    APT6010LLLG

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V 54A TO-264

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    POWER MOS 7®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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