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APT551R2DN	文件：345.13 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current :ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 550V(Min) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·high voltage, high speed power switching 文件：345.13 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT551R2AN	文件：309.01 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 550V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：309.01 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT551R2BN	文件：345.14 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current :ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 550V(Min) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·high voltage, high speed power switching 文件：345.14 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT6025BVFR	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	APT 晶科上传：深圳市毅创腾电子科技有限公司	APT
APT60DQ60BG	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	MICROSEM 上传：深圳市凌旭科技有限公司	MICROSEM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多APT551R2DN供应商更新时间2025-12-16 14:02:00