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AT5517	文件：87.21 Kbytes Page：1 Pages	IntegratedPowerSolutionforTFT-LCD	GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc 致新科技	GMT
AU5517	文件：187.06 Kbytes Page：14 Pages	DualOperationalTransconductanceAmplifier TheAU5517andNE5517containtwocurrent-controlledtransconductanceamplifiers,eachwithadifferentialinputandpush-pulloutput.TheAU5517/NE5517offerssignificantdesignandperformanceadvantagesoversimilardevicesforalltypesofprogrammablegainapplications.Circuitperformanceis	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AU5517	文件：183.05 Kbytes Page：15 Pages	DualOperationalTransconductanceAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AU5517D	文件：193.71 Kbytes Page：18 Pages	Dualoperationaltransconductanceamplifier	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
CPH5517	文件：49.21 Kbytes Page：5 Pages	PNP/NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorHigh-CurrentSwitchingApplications High-CurrentSwitchingApplications Features •CompositetypewithaPNP/NPNtransistorcontainedinpackage,facilitatinghigh-densitymounting. •TheCPH5517consistsoftwochipswhichareequivalenttotheCPH3116andtheCPH3216,respectively. •Ultrasmallpackagepermittingappliedsets	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
CPH5517	文件：405.75 Kbytes Page：8 Pages	BipolarTransistor Features •CompositetypewithaPNP/NPNtransistorcontainedinpackage,facilitatinghigh-densitymounting •TheCPH5517consistsoftwochipswhichareequivalenttotheCPH3116andtheCPH3216,respectively •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslime(mountingheight	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CPH5517-TL-E	文件：405.75 Kbytes Page：8 Pages	BipolarTransistor Features •CompositetypewithaPNP/NPNtransistorcontainedinpackage,facilitatinghigh-densitymounting •TheCPH5517consistsoftwochipswhichareequivalenttotheCPH3116andtheCPH3216,respectively •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslime(mountingheight	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
G5517	文件：83.87 Kbytes Page：1 Pages	IntegratedPowerSolutionforTFT-LCD	GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc 致新科技	GMT
GRF5517	文件：1.60853 Mbytes Page：13 Pages	HighLinearityPowerAmplifierTuningRange:1.7to1.8GHz	GUERRILLA Guerrilla RF, Inc.	GUERRILLA
GRF5517W	文件：5.76536 Mbytes Page：27 Pages	HIGHLINEARITYPOWERAMPLIFIER1.7to1.8GHz FEATURES ExcellentOP1dB,OIP3,ACLRandIM3Performance NativeLinearityProvidesupto+23dBmPOUTwith >45dBcACLR–WithouttheNeedforDigital PredistortionCorrection +23dBmLinearOutputPowerMaintainedat105°C FlexibleBiasingProvidesLatitudeforLinearity Optimization 22	GUERRILLA Guerrilla RF, Inc.	GUERRILLA

详细参数

型号：
APT5517DN
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | CHIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多APT5517DN供应商更新时间2025-5-19 18:29:00

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