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APT54GA60S	文件：219.81 Kbytes Page：6 Pages	High Speed PT IGBT 文件：219.81 Kbytes 页数：6 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT54GA60SD30	文件：246.32 Kbytes Page：9 Pages	High Speed PT IGBT 文件：246.32 Kbytes 页数：9 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT54GA60SD30	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT w/ anti-parallel diode	Microchip 微芯科技	Microchip
APT54GA60B	文件：219.81 Kbytes Page：6 Pages	High Speed PT IGBT 文件：219.81 Kbytes 页数：6 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT54GA60B	文件：2.83336 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes 页数：44 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT54GA60B	文件：2.83333 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWER MOS 7® MOSFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses alon 文件：2.83333 Mbytes 页数：44 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

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更多APT54GA60S供应商更新时间2026-4-18 10:20:00