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APT50GN120L2DQ2G中文资料PDF规格书

APT50GN120L2DQ2G
厂商型号

APT50GN120L2DQ2G

参数属性

APT50GN120L2DQ2G 封装/外壳为TO-264-3,TO-264AA;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 134A 543W TO264

功能描述

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

文件大小

9.86083 Mbytes

页面数量

44

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

Microsemi美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-14 22:30:00

产品属性

  • 产品编号:

    APT50GN120L2DQ2G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT,沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,50A

  • 开关能量:

    4495µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    28ns/320ns

  • 测试条件:

    800V,50A,2.2 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 描述:

    IGBT 1200V 134A 543W TO264

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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