| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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3年
留言
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APTMICROSTO-247 |
10000 |
24+ |
只有原装 |
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12年
留言
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APTMICROSTO-247 |
8850 |
2517+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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15年
留言
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MICROSETO247 |
8635 |
2023+ |
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一级代理优势现货,全新正品直营店 |
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17年
留言
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APT |
8866 |
24+ |
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6年
留言
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MICROCHIP-微芯TO-247-3 |
2368 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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APTTO-247-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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APTTO-247-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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14年
留言
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MICROCHIP/微芯smddip |
7671 |
24+ |
原装正品.优势专营 |
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15年
留言
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APTTO-3P |
8200 |
22+ |
原装现货库存.价格优势!! |
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5年
留言
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APTTO-3P |
100500 |
2447 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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3年
留言
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APTTO-247 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保证 |
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7年
留言
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APTTO-247 |
214 |
1932+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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5年
留言
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APTTO-247 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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13年
留言
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模块 |
3500 |
24+ |
原装现货,可开13%税票 |
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12年
留言
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APTMICRTO-247 |
30 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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6年
留言
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APTTO-247 |
346 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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APTMICROSTO-247 |
13782 |
23+ |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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8年
留言
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N/A |
56000 |
24+ |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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12年
留言
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APTTO-247 |
11560 |
15+ |
全新原装,现货库存,长期供应 |
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6年
留言
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APTTO247 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
APT5015B采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
APT5015B图片
APT5015BVR功率三极管中文资料Alldatasheet PDF
更多APT5015BLC制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs
APT5015BVFR制造商:Microsemi Corporation 功能描述:HI VOLT N-CHANNEL PWR MOSFET 500V 32A 0.150? - Rail/Tube
APT5015BVFRG功能描述:MOSFET N-CH 500V 32A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
APT5015BVR制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT5015BVRG功能描述:MOSFET N-CH 500V 32A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
































