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APT45GP120B2DQ2G分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

APT45GP120B2DQ2G

参数属性

APT45GP120B2DQ2G 封装/外壳为TO-247-3 变式;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 113A 625W TMAX

功能描述

POWER MOS 7 IGBT

封装外壳

TO-247-3 变式

文件大小

436.45 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

ADPOW

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更新时间

2025-11-3 15:31:00

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产品属性

  • 产品编号:

    APT45GP120B2DQ2G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    POWER MOS 7®

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.9V @ 15V,45A

  • 开关能量:

    900µJ(开),905µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    18ns/100ns

  • 测试条件:

    600V,45A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3 变式

  • 描述:

    IGBT 1200V 113A 625W TMAX

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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