选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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Microchip TechnologyTO-247-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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MICROSEMI-美高森美TO-247-3 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
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MicrochNA |
9640 |
18+ |
专业一站OEM,省时省力少花冤枉钱!专业可靠! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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MicrosemiTO247 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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瑞航达科技(深圳)有限公司6年
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MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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MICROSEMI2013+ |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市瑞智芯科技有限公司3年
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MICROCHIP1 |
339 |
进口原装 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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MicrosemiTO247 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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MICROSEMI2013+ |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市微纳尔电子实业有限公司1年
留言
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Microchip |
15000 |
21+ |
只做原装 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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MICROSEMI/美高森美TO247 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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MICROSEMITO247-3 |
326 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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MicrochNA |
33560 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Microsemi/美高森美TO247 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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MICROSEMINA |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市凌锐智能科技有限公司4年
留言
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MICROCHIP/微芯SMT |
18000 |
24+ |
诚以养德,用芯做事,全新原装原盒原标出货。 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Microsemi CorporationTO2473 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Microsemi CorporationTO2473 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳中芯器材有限公司11年
留言
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MICROSEMI原厂封装 |
30 |
RoHSCompliant |
neworiginal |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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MicrosemiN/A |
717 |
1942+ |
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APT40GR120B采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
APT40GR120B图片
APT40GR120B2D30价格
APT40GR120B2D30价格:¥41.8433品牌:Microsemi
生产厂家品牌为Microsemi的APT40GR120B2D30多少钱,想知道APT40GR120B2D30价格是多少?参考价:¥41.8433。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,APT40GR120B2D30批发价格及采购报价,APT40GR120B2D30销售排行榜及行情走势,APT40GR120B2D30报价。
APT40GR120B中文资料Alldatasheet PDF
更多APT40GR120B功能描述:IGBT 1200V 88A 500W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
APT40GR120B2D30功能描述:IGBT 1200V 88A 500W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
APT40GR120B2SCD10制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 1200V 88A 500W TO247 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES
产品属性
- 产品编号:
APT40GR120B
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3.2V @ 15V,40A
- 开关能量:
1.38mJ(开),906µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
22ns/163ns
- 测试条件:
600V,40A,4.3 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 1200V 88A 500W TO247