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APT40GP90B2DQ2G数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
APT40GP90B2DQ2G |
参数属性 | APT40GP90B2DQ2G 封装/外壳为TO-247-3 变式;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 900V 101A 543W TMAX |
功能描述 | IGBT w/ anti-parallel diode |
封装外壳 | TO-247-3 变式 |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 19:29:00 |
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APT40GP90B2DQ2G规格书详情
描述 Description
ROHS
简介
APT40GP90B2DQ2G属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的APT40GP90B2DQ2G晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
APT40GP90B2DQ2G
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
POWER MOS 7®
- 包装:
托盘
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3.9V @ 15V,40A
- 开关能量:
795µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
14ns/90ns
- 测试条件:
600V,40A,4.3 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3 变式
- 描述:
IGBT 900V 101A 543W TMAX
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Microch |
20+ |
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