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APT33GF120B2RD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

APT33GF120B2RD
厂商型号

APT33GF120B2RD

参数属性

APT33GF120B2RD 封装/外壳为TO-247-3 变式;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 64A 357W TMAX

功能描述

The Fast IGBT??is a new generation of high voltage power IGBTs.

封装外壳

TO-247-3 变式

文件大小

141.83 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Advanced Power Technology
企业简称

ADPOW

中文名称

Advanced Power Technology官网

原厂标识
ADPOW
数据手册

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更新时间

2025-8-4 9:48:00

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APT33GF120B2RD规格书详情

The Fast IGBT™ is a new generation of high voltage power IGBTs. Using NonPunch Through Technology the Fast IGBT™ combined with an APT freewheeling ultraFast Recovery Epitaxial Diode (FRED) offers superior ruggedness and fast switching speed.

• Low Forward Voltage Drop

• High Freq. Switching to 20KHz

• Low Tail Current

• Ultra Low Leakage Current

• RBSOA and SCSOA Rated

• Ultrafast Soft Recovery Antiparallel Diode

产品属性

  • 产品编号:

    APT33GF120B2RDQ2G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3V @ 15V,25A

  • 开关能量:

    1.315mJ(开),1.515mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    14ns/185ns

  • 测试条件:

    800V,25A,4.3 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3 变式

  • 描述:

    IGBT 1200V 64A 357W TMAX

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