首页>APT33GF120B2RD>规格书详情
APT33GF120B2RD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
APT33GF120B2RD |
参数属性 | APT33GF120B2RD 封装/外壳为TO-247-3 变式;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 64A 357W TMAX |
功能描述 | The Fast IGBT??is a new generation of high voltage power IGBTs. |
封装外壳 | TO-247-3 变式 |
文件大小 |
141.83 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | Advanced Power Technology |
企业简称 |
ADPOW |
中文名称 | Advanced Power Technology官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-4 9:48:00 |
人工找货 | APT33GF120B2RD价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
APT33GF120B2RD规格书详情
The Fast IGBT™ is a new generation of high voltage power IGBTs. Using NonPunch Through Technology the Fast IGBT™ combined with an APT freewheeling ultraFast Recovery Epitaxial Diode (FRED) offers superior ruggedness and fast switching speed.
• Low Forward Voltage Drop
• High Freq. Switching to 20KHz
• Low Tail Current
• Ultra Low Leakage Current
• RBSOA and SCSOA Rated
• Ultrafast Soft Recovery Antiparallel Diode
产品属性
- 产品编号:
APT33GF120B2RDQ2G
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3V @ 15V,25A
- 开关能量:
1.315mJ(开),1.515mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
14ns/185ns
- 测试条件:
800V,25A,4.3 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3 变式
- 描述:
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
23+ |
TO247 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
APT |
25+ |
T-MAX |
12 |
原装正品,欢迎来电咨询! |
询价 | ||
APT |
2023+ |
TO247 |
8635 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | |||
ADPOW |
2023+ |
原厂原包 |
8700 |
原装现货 |
询价 | ||
APT |
23+ |
TO-247-3() |
13024 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
APT |
22+ |
原厂原封 |
8200 |
原装现货库存.价格优势!! |
询价 | ||
APT |
23+ |
TO247 |
12800 |
公司只有原装 欢迎来电咨询。 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
51000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
询价 |