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APT30GP60B2DLG	文件：219.74 Kbytes Page：9 Pages	Resonant Mode Combi IGBT	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT30GP60B2DLG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 100A 463W TMAX	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT30GP60B2DL	文件：219.74 Kbytes Page：9 Pages	ResonantModeCombiIGBT	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

产品属性

产品编号：
APT30GP60B2DLG
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，30A
开关能量：
260µJ（开），250µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
13ns/55ns
测试条件：
400V，30A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
T-MAX™
描述：
IGBT 600V 100A 463W TMAX

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