选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
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APTTO-3P |
3470 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市凯盛恒创科技有限公司3年
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MicrochipN/A |
6000 |
20+ |
全新、原装 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
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MICTO-247 |
3600 |
15+ |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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Microchip TechnologyTO-247-3 |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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MicrochNA |
33560 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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APTMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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APTMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
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MicroseTO-247 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
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APTpcs |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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APTNA/ |
39 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
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APT模块 |
300 |
2015 |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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APTTO-3P |
148 |
1116+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
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APTNA |
1120 |
22+ |
中国航天工业部战略合作伙伴行业领导者 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
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MICROSEMI/美高森美TO-247 |
6850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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MICROSEMI/美高森美TO-247 |
5590 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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APTTO-3P |
148 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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APTTO-3P |
268 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
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APTTO-3P |
148 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
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APTTO-3P |
4100 |
23+ |
原装正品,假一罚十! |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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APTMICROSEMID3S |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
APT30GP60采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
APT30GP60图片
APT30GP60JDQ1价格
APT30GP60JDQ1价格:¥198.8357品牌:Microsemi
生产厂家品牌为Microsemi的APT30GP60JDQ1多少钱,想知道APT30GP60JDQ1价格是多少?参考价:¥198.8357。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,APT30GP60JDQ1批发价格及采购报价,APT30GP60JDQ1销售排行榜及行情走势,APT30GP60JDQ1报价。
APT30GP60S中文资料Alldatasheet PDF
更多APT30GP60B制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT30GP60B2DL制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT
APT30GP60B2DLG制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 100A 463W TMAX 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 100A T-MAX 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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APT30GP60BDQ1制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT30GP60BDQ1G功能描述:IGBT 600V 100A 463W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
APT30GP60BG功能描述:IGBT 600V 100A 463W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
APT30GP60JD1功能描述:Volts:600V VF/Vce(ON):2.7V ID(cont):32Amps|Ultrafast IGBT Family
APT30GP60JDQ1功能描述:IGBT 600V 67A 245W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容(Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APT30GP60LDL制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT