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APT29F100B2规格书详情
FEATURES
·Drain Current –ID= 30A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage-
: VDSS= 1000V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 0.44Ω(Max)@VGS= 10V
·100 avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
DESCRIPTION
·motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
产品属性
- 型号：
APT29F100B2
- 功能描述：
MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
POWER MOS 8™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi Corporation |
22+ |
TO2473 Variant |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
98 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
24+ |
TO-264 |
47186 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
询价 | ||||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
PG-TO263 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
2023+ |
TO-264 |
3500 |
全新原装正品,优势价格 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
MICROSEMI |
25+23+ |
TO-264 |
35349 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
APT |
25+ |
T-MAX |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
Microchip Technology / Atmel |
25+ |
T-MAX-3 |
6843 |
样件支持,可原厂排单订货! |
询价 |
