| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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3年
留言
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MicrochipSOT-227-4 |
50000 |
25+ |
一手货源诚信靠谱现货 |
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11年
留言
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MICROSEMI/美高森美MOUDLE |
12000 |
26+ |
原装正品 深圳现货 |
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8年
留言
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Microchip TechnologyModule |
1262 |
24+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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7年
留言
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Microchip Technology / AtmelSOT-227-4 |
6843 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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8年
留言
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Microchip Technology / AtmelSOT-227-4 |
6895 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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16年
留言
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APTMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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16年
留言
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APTMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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16年
留言
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MicrochNA |
33560 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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3年
留言
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Microchip TechnologyMODULE |
50000 |
25+ |
一手货源诚信靠谱现货 |
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3年
留言
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MicrochipSOT-227-4 |
50000 |
25+ |
一手货源诚信靠谱现货 |
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8年
留言
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MICROCHIP/微芯SOT227 |
60 |
1734+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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10年
留言
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原厂模块 |
600 |
2023+ |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
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APTT-MAX |
43000 |
23+ |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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16年
留言
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MICROCHIP/微芯 |
65597 |
26+23+ |
绝对原装正品现货 全新深圳原装进口现货 |
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6年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-252 |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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13年
留言
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APT99A/1200V/IG |
50 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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11年
留言
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MICROSEMI/美高森美MOUDLE |
12000 |
26+ |
原装正品 深圳现货 |
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11年
留言
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MICROSEMI/美高森美MOUDLE |
12000 |
26+ |
原装正品 深圳现货 |
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10年
留言
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Microsemi模块 |
12800 |
23+ |
公司只有原装 欢迎来电咨询。 |
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1年
留言
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APT/MICROSEMITO-264 |
5800 |
2021+ |
原装现货,欢迎来电咨询 |
APT150采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
APT150图片
APT150GN60J价格
APT150GN60J价格：￥130.6819品牌：Microsemi
生产厂家品牌为Microsemi的APT150GN60J多少钱，想知道APT150GN60J价格是多少？参考价：￥130.6819。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，APT150GN60J批发价格及采购报价，APT150GN60J销售排行榜及行情走势，APT150GN60J报价。
APT150GN60LDQ4G中文资料Alldatasheet PDF
更多APT150制造商:Carlo Gavazzi 功能描述:TERMINAL COVER FOR TOR
APT150DL60B2制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Ultrasoft Recovery Rectifi er Diode
APT150DL60B2G制造商:Microsemi Corporation 功能描述:FAST RECOVERY EPITAXIAL DIODE - DL - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RECTIFIER MODULE - FAST RECOVERY/FRED
APT150GN120J功能描述:IGBT 1200V 215A 625W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容(Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APT150GN120JDQ4功能描述:IGBT 1200V 215A 625W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容(Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APT150GN60B2制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT
APT150GN60B2G功能描述:IGBT 600V 220A 536W SOT227 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
APT150GN60J功能描述:IGBT 600V 220A 536W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容(Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APT150GN60JDQ4功能描述:IGBT 600V 220A 536W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容(Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APT150GN60LDQ4制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT
