APT13003L中文资料450V NPN HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTOR数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
APT13003L |
| 参数属性 | APT13003L 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 450V 0.8A TO92 |
| 功能描述 | 450V NPN HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-20 10:27:00 |
| 人工找货 | APT13003L价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
APT13003L规格书详情
简介
APT13003L属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由Diodes制造生产的APT13003L晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
APT13003LZTR-G1
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 40mA，200mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
6 @ 300mA，10V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 供应商器件封装：
TO-92
- 描述：
TRANS NPN 450V 0.8A TO92
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
115240 |
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询价 | ||
DIODES |
22+ |
NA |
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24+ |
NA |
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25+ |
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DIODES/美台 |
24+ |
N/A |
500000 |
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Diodes Incorporated |
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TO-226-3 TO-92-3(TO-226AA) |
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DIODES/美台 |
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DIODES/美台 |
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TO-92 |
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DIODES/美台 |
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