APT11GF120KRG_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-美高森美

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厂家型号：
APT11GF120KRG
制造商：
MICROSEMI/美高森美
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
TO-220-3
包装：
管件
安装类型：
通孔
更新时间：
2025-8-3 15:00:00

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原厂料号：APT11GF120KRG品牌：Microsemi Corporation

资料说明：IGBT 1200V 25A 156W TO220

APT11GF120KRG是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商MICROSEMI/美高森美生产封装TO-220-3的APT11GF120KRG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
apt11gf120krg
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
MICROSEMI【美高森美】详情
厂商全称：
Microsemi Corporation
中文名称：
美高森美公司
资料说明：
IGBT 1200V 25A 156W TO220

产品属性

类型
描述
产品编号：
APT11GF120KRG
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，8A
开关能量：
300µJ（开），285µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
7ns/100ns
测试条件：
800V，8A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220 [K]
描述：
IGBT 1200V 25A 156W TO220

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APT11GF120KRG_分立半导体产品 晶体管-UGBT、MOSFET-单-美高森美

APT11GF120KRG

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