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APT1004R2BN中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

APT1004R2BN
厂商型号

APT1004R2BN

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

298.13 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 17:32:00

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APT1004R2BN规格书详情

FEATURES

·Drain Current : ID= 4A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage

: VDSS= 1000V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 4.2Ω(Max) @ VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

产品属性

  • 型号:

    APT1004R2BN

  • 制造商:

    ADPOW

  • 制造商全称:

    Advanced Power Technology

  • 功能描述:

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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