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MUR10040	文件：412.5 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR10040	文件：124.64 Kbytes Page：3 Pages	100AmpSupreFastRecoveryRectifier50to600Volts Features •HighSurgeCapability •LowLeakage •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •SupreFastswitchingforhighefficiency	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MUR10040CT	文件：113.75 Kbytes Page：3 Pages	100AmpSupreFastRecoveryRectifier50to600Volts Features •HighSurgeCapability •LowLeakage •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •SupreFastswitchingforhighefficiency	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MUR10040CT	文件：380.66 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR10040CT	文件：408.12 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR10040CT	文件：412.5 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR10040CT	文件：138.98 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRecoveryDiode,100A Features •DualDiodeConstruction •LowLeakageCurrent •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •SuperFastSwitching	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MUR10040CT	文件：692.84 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR10040CTR	文件：412.5 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR10040CTR	文件：380.66 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC

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详细参数

型号：
APT10040LVRG
功能描述：
MOSFET N-CH 1000V 25A TO-264
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
POWER MOS V®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多APT10040LVRG供应商更新时间2025-7-29 16:19:00

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