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ASX602	文件：1.16471 Mbytes Page：14 Pages	400-3000MHzMMICAmplifier Description TheASX602,apoweramplifierMMIC,hasahighlinearity,highgain,andhighefficiencyoverawiderangeoffrequency,beingsuitableforuseinbothreceiverandtransmitteroftelecommunicationsystemsupto3GHz.TheamplifierisavailableinanSOIC-8packageandpassesthrough	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
ASX602	文件：1.35674 Mbytes Page：16 Pages	400~3000MHzMMICAmplifier	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
AT602	文件：3.43102 Mbytes Page：34 Pages	AccessoriesHardware [NKKSwitches] HardwareThreading Manyhardwarepiecesareavailableinbothmetricandinchthreading,andinsuchcasesM(metric)andH(inch)arenotedinthedescriptions.ThecustomermustselectthreadingbyplacinganMorHafterthebasicATpartnumber.Ifthehardwareisavailable	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AT602	文件：3.62022 Mbytes Page：33 Pages	AccessoriesHardware	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
AT602N	文件：3.62022 Mbytes Page：33 Pages	AccessoriesHardware	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
AT602N	文件：3.43102 Mbytes Page：34 Pages	AccessoriesHardware [NKKSwitches] HardwareThreading Manyhardwarepiecesareavailableinbothmetricandinchthreading,andinsuchcasesM(metric)andH(inch)arenotedinthedescriptions.ThecustomermustselectthreadingbyplacinganMorHafterthebasicATpartnumber.Ifthehardwareisavailable	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
ATP602	文件：287.62 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ATP602	文件：355.33 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ATP602-TL-H	文件：462.76 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ATP602-TL-H	文件：355.33 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
APL602LG
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 49A TO-264
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多APL602LG供应商更新时间2025-5-25 10:12:00

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