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APT3580BN	文件：345.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=350V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·highvoltage,highspeedpowerswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT3580CN	文件：297.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=350V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT3580GN	文件：297.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=350V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ATN3580	文件：112.8 Kbytes Page：4 Pages	FixedAttenuatorPads Description TheATN3580seriesofattenuatorchipsincorporatethinfilmresistorsonhighresistivitysiliconchipstoachieveprecisionattenuation,tightflatnessandhighreturnlossto40GHz.ThedesignusesabalancedTEEresistivestructuretoassurebroadbandwidthperformance.Thethin	SKYWORKSSkyworks Solutions Inc. 思佳讯美国思佳讯公司	SKYWORKS
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BSTH3580	文件：259.269 Kbytes Page：1 Pages	Phase-controlthyristors	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
APL3580
制造商：
ANPEC
制造商全称：
Anpec Electronics Coropration
功能描述：
33mW 3A High Side Load Switches

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