APA1201010000,APA1201040000,APA1201120000中文资料850nm 25Gb/s GaAs PIN光电二极管。数据手册II-VI规格书
APA1201010000,APA1201040000,APA1201120000规格书详情
描述 Description
850nm 25Gb/s GaAs光电二极管双顶触点单芯片和阵列II-VI Laser Enterprise的高速850nm PIN光电二极管是为满足高速数据通信的严格规格而设计的。此款高性能、高可靠性的设备设计为低电寄生,数据传输速率高达25Gb/s。
特性 Features
• 大光圈尺寸
• 高响应性
• 低工作电压
• 低电容
• 低暗电流
• 数据速率高达25Gb/s
• 顶侧阳极和阴极配置
• 可提供1、4(照片)和12通道阵列芯片
• 符合卤素和RoHS标准
应用 Application
• 平行光纤通信链路
• AOC和收发器
特点
• 大光圈尺寸
• 高响应性
• 低工作电压
• 低电容
• 低暗电流
• 数据速率高达25Gb/s
• 顶侧阳极和阴极配置
• 可提供1、4(照片)和12通道阵列芯片
• 符合卤素和RoHS标准
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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