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AP9T18GEJ	文件：132.52 Kbytes Page：4 Pages	G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. ▼G-SDiodeembedded ▼Capableof2.5Vgatedrive ▼Surfacemountpackage ▼RoHSCompliant	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
9T18GEJ	文件：960.88 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9T18GJ	文件：959.92 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP9T18GEH	文件：132.52 Kbytes Page：4 Pages	G-SDiodeembedded,Capableof2.5Vgatedrive Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. ▼G-SDiodeembedded ▼Capableof2.5Vgatedrive ▼Surfacemountpackage ▼RoHSCompliant	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP9T18GH	文件：110.11 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP9T18GH-HF	文件：497.12 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
GI9T18	文件：235.84 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GJ9T18	文件：236.42 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM

详细参数

型号：
AP9T18GEJ
制造商：
A-POWER
制造商全称：
Advanced Power Electronics Corp.
功能描述：
G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海金庆电子技术有限公司	AP9T18GEJ	APEC	全新原装	TO-251(J)	5000	全新原装货期两周	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	AP9T18GEJ	APEC	13+	NA	37238	原装分销	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	AP9T18GEJ	SR	23+	TO-251	6000	原装正品,假一罚十	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	AP9T18GEJ	APEC	23+	TO-251	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
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更多AP9T18GEJ供应商更新时间2025-5-28 16:06:00

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