AP8205A中文资料20V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET数据手册APM规格书
AP8205A规格书详情
描述 Description
AP8205A采用先进的沟道技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压低至0.7V的操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。
特性 Features
VDS = 20V，ID = 6A
RDS（ON）<18.5mΩ
@ V GS =10V RDS（ON）<23.5mΩ
@ V GS = 4.5V 高功率和电流处理能力
无铅产品
SOT23-6表贴封装
应用 Application
●PWM应用
●负载开关
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