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UPC2762T	文件：144.32 Kbytes Page：6 Pages	3V,WIDEBANDMEDIUMPOWERSIMMICAMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC2762TandUPC2763TareSiliconMonolithicintegratedcircuitswhicharemanufacturedusingtheNESATIIIprocess.TheNESATIIIprocessproducestransistorswithfTapproaching20GHz.Theseamplifiersweredesignedfor900MHzand1.9GHzreceiversincellular,cordlessteleph	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2762T	文件：395.2 Kbytes Page：30 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Mediumoutputpower:μPC2762TB;PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=0.9GHz μPC2763TB;PO(1dB)=+9.5dBmTYP.@f=0.9GHz μPC2771TB;PO(1dB)=+11.5dBmTYP.@f=0.9GHz •Powergain:μPC2762TB;GP=13dBTYP.@f=0.9GHz μPC2763TB;GP	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2762T	文件：327.58 Kbytes Page：19 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=30mATYP.@VCC=3.0V •Mediumoutputpower:PO(1dB)=+9.5dBmTYP.@f=0.9GHz PO(1dB)=+9.0dBmTYP.@f=1.9GHz PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=2.4GHz •Powergain:GP=21.5dBTYP.@f=0.9GHz GP=20.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2762T	文件：332.18 Kbytes Page：18 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=23.0mATYP.@VCC=3.0V •Mediumoutputpower:PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=0.9GHz PO(1dB)=+7.0dBmTYP.@f=1.9GHz PO(1dB)=+7.0dBmTYP.@f=2.4GHz •Powergain:GP=19.0dBTYP.@f=0.9GHz GP=2	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
AP2762R-A
制造商：
A-POWER
制造商全称：
Advanced Power Electronics Corp.
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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