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BD235	文件：283.29 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •PowerDissipation:PCM=1.25W,Ta=25°C •CollectorCurrent:IC=2A •ComplementtoBD234/236/238respectively •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Epoxy	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BD235	文件：138.24 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=40(Min)@lc=0.15A •ComplementtoTypeBD234/236/238 APPLICATIONS •Designedforusein5-10wattaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD235	文件：1.9422 Mbytes Page：14 Pages	GERMANIOVETRANZISTORY	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BD235NPN	文件：492.4 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BD235-TU	文件：2.48834 Mbytes Page：5 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ComplementtoBD234/BD236/BD238respectively	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BFG235	文件：99.65 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ●Forlow-distortionbroadbandoutputamplifier stagesinantennaandtelecommunication systemsupto2GHzatcollectorcurrentsfrom 120mAto250mA ●PoweramplifiersforDECTandPCNsystems ●Integratedemitterballastresistor ●fT=5.5GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFG235	文件：48.73 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlow-distortionbroadbandoutputamplifierstagesinantennaandtelecommunications) NPNSiliconRFTransistor •Forlow-distortionbroadbandoutputamplifier stagesinantennaandtelecommunications systemsupto2GHzatcollectorcurrentsfrom 120mAto250mA •PoweramplifiersforDECTandPCNsystems •Integratedemitterballastresistor •fT=5.5GHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFG235	文件：63.72 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFQ235	文件：67.6 Kbytes Page：8 Pages	NPNvideotransistor DESCRIPTION NPNvideotransistorinaSOT128B(TO-202)plasticpackage. PNPcomplement:BFQ255A. FEATURES •Highbreakdownvoltages •Lowoutputcapacitance •Highgainbandwidth •Goodthermalstability •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS •CRTamplifierbuf	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFQ235A	文件：67.6 Kbytes Page：8 Pages	NPNvideotransistor DESCRIPTION NPNvideotransistorinaSOT128B(TO-202)plasticpackage. PNPcomplement:BFQ255A. FEATURES •Highbreakdownvoltages •Lowoutputcapacitance •Highgainbandwidth •Goodthermalstability •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS •CRTamplifierbuf	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
AP235HDG
制造商：
Thomas & Betts
功能描述：
POST BASE, STEEL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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