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AP2129DN-1.2TRG1中文资料美台半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

AP2129DN-1.2TRG1

功能描述

300mA HIGH SPEED, EXTREMELY LOW NOISE CMOS LDO REGULATOR

丝印标识

MA

封装外壳

DFN-1.5x2-6

文件大小

417.88 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

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数据手册

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更新时间

2025-10-4 20:00:00

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AP2129DN-1.2TRG1规格书详情

特性 Features

- Wide Operating Voltage: 1.8V to 6V

- High Output Voltage Accuracy: ±2

- High Ripple Rejection: 65dB@ f = 1kHz, 45dB@ f = 10kHz

- Low Standby Current: 0.1μA

- Low Quiescent Current: 60μA Typical

- Low Output Noise: 60μVrms

- Short Current Limit: 50mA

- Over Temperature Protection

- Compatible with Low ESR Ceramic Capacitor: 1μF for CIN and COUT

- Excellent Line/Load Regulation

- Soft Start Time: 50μs

- Auto Discharge Resistance: RDS(ON) = 60

Applications

- Datacom

- Notebook Computers

- Mother Board

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