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AP20T03GHJ	文件：73.15 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET TheTO-252packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchasDC/DCconverters.Thethrough-holeversion(AP20T03GJ)isavailableforlow-profileapplications.	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP20T03GHJ-HF	文件：92.89 Kbytes Page：4 Pages	Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP20T03GHJ-HF_14	文件：92.89 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP20T03GJ-HF	文件：106.81 Kbytes Page：5 Pages	FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP20T03GT-HF	文件：123.16 Kbytes Page：4 Pages	LowerGateCharge,SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
C20T03QL	文件：55 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
C20T03QLH	文件：135.6 Kbytes Page：1 Pages	SBD	NI National Instruments Inc.	NI
C20T03QLH	文件：53.22 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES SQUARE-PAKTO-263AB(SMD) Packagedin24mmTapeandReel DualDiodes–CathodeCommon LowForwardVoltageDrop HighSurgeCapability *Tj=150°Coperation	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
GI20T03	文件：244.88 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GJ20T03	文件：249.79 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM

详细参数

型号：
AP20T03GHJ
制造商：
A-POWER
制造商全称：
Advanced Power Electronics Corp.
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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