N-Channel Mosfet

AP1N60H采用先进的沟道技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压低至3.0V的操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。 VDS = 600V，ID = 1A \nRDS（ON）<7.0mΩ\n@ V GS =10V RDS（ON）<8.0mΩ\n@ V GS = 4.5V 高功率和电流处理能力\n无铅产品\nTO-92直插封装;

APM

永源微

600V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

APM

永源微

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：402.62 Kbytes 页数：6 Pages

ESTEK

伊泰克电子

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：402.25 Kbytes 页数：6 Pages

ESTEK

伊泰克电子

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

文件：1.07163 Mbytes 页数：6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子