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BN1L3N	文件：240.47 Kbytes Page：6 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=4.7kΩ,R2=10kΩ) •ComplementarytransistorwithBA1L3N	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BN1L3N	文件：85.87 Kbytes Page：4 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=4.7kΩ,R2=10kΩ) •ComplementarytransistorwithBA1L3N	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
BN1L3Z	文件：121.8 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheBN1L3Zisdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypePNPtransistorequivalentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
BP1L3N	文件：94.22 Kbytes Page：6 Pages	On-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching TheBP1SeriesisanNtypesmallsignaltransistorandenablesthereductionofcomponentcountsanddownsizingofsetsduetoon-chipresistors.Thistransistorisespeciallyidealforuseinhouseholdelectronicapplian	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
FA1L3M	文件：285.01 Kbytes Page：6 Pages	SILICONTRANSISTOR	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
FA1L3M	文件：155.73 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMSPEEDSWITCHINGRESISTORBUILT-INTYPENPNTRANSISTORMINIMOLD MEDIUMSPEEDSWITCHINGRESISTORBUILT-INTYPENPNTRANSISTORMINIMOLD FEATURES •ResistorsBuilt-inTYPE •ComplementarytoFN1L3M	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
FA1L3N	文件：156.01 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMSPEEDSWITCHINGRESISTORBUILT-INTYPENPNTRANSISTORMINIMOLD FEATURES •ResistorsBuilt-inTYPE •ComplementarytoFN1L3N	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
FA1L3N	文件：285.2 Kbytes Page：6 Pages	SILICONTRANSISTOR	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
FA1L3Z	文件：293.65 Kbytes Page：6 Pages	SILICONTRANSISTOR	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
FA1L3Z	文件：164.48 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMSPEEDSWITCHINGRESISTORBUILT-INTYPENPNTRANSISTORMINIMOLD SILICONTRANSISTOR FEATURES •ResistorBuilt-inTYPE	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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详细参数

型号：
AP1L3N
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海金庆电子技术有限公司	AP1M211-A	IDEC	新		25	全新原装货期两周	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	AP1N10I		24+	N/A	54000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	AP1N60	ANSC/安葳	23+	SOT223	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	AP1N60	安葳ANSC	22+	SOT-223	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	AP1N60	ANSC/安葳	24+	NA/	2500	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市博中泰实业有限公司	AP1N60	ANSC/安葳	24+	SOT223	60000	全新原装现货	询价
深圳市一线半导体有限公司	AP1N60H	ANPEC	24+	TO-252	36800		询价
深圳市宇集芯电子有限公司	AP1N60H	APEC	24+	TO-252	90000	一级代理商进口原装现货、价格合理	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	AP1N60H	AP	23+	TO-252	9000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市旺财半导体有限公司	AP1N60H	APEC	23+		2800	正品原装货价格低	询价

更多AP1L3N供应商更新时间2025-7-25 16:06:00

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